请教有关PNP BJT MODEL的参数ISC的相关问题。

yonghongdeng

这两天我用一个厂家的PNP BJT MODEL仿真发现管子在高温情况下（>100摄氏度），基极电流由负变为正。仿真条件为发射极正偏，集电极反偏。我查看了模型参数，发现'isc=1e-11' ，这个值比一般的厂家提供的参数都要大好几个数量级。我改为'isc=1e-14' 之后，就不会出现电流为正的情况。请大家帮我看看，确认是不是模型有问题。谢谢
其他相关信息emitter area = 10um×10um
0.35um 3.3V CMOS process

[ 本帖最后由 yonghongdeng 于 2009-4-12 11:37 编辑 ]

ddrr

Isc：Base-collector leakage saturation current.
反向漏电大的话，Ib>0
default值：0
csmc 0.6um process.npn10：isc=1.00e-17

yonghongdeng

是的，就是这个问题。
我还仿了一个这个工艺下的Nwell—Psub二极管的反向电流。在温度高到90摄氏度之后，就达到100nA。
我觉得这个电流太大了。一般Nwell—Psub之间就是反偏。如果按照这种情况估计，整个芯片的漏电岂不是非常大。

DIMPLE倲NA

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