恳请大家分析下图：一个完整的带隙基准电路图中的一些问题交流请教

xwlpxc

一个bandgap启动电路上，漏栅短接的红色PMOS的参数是W=0.8;L=8.8。
这个WL值一反常见的W>L的特点，反而是W<<L。
除了形成电阻值大对电流构成影响外，这种取值的主要目的是？

另外  layout应该怎么实现好呢？
Q3X在这里的主要作用是？

guang3000

当bandgap正常工作， r2x的上端会产生一个较精确的参考电压（个人认为电流一定的话bjt上的压降比电阻上的精准），这个电压加在ms2这个nmos上，产生的电流流过ms1,一定要使ms4截至, ms1的阻值要大些, layout随便，最好w大些。 我在其它bandgap的启动电路里见过这种倒比管，作用类似。

xiaxiaomingc1

电路是不是画错了？启动电路无法启动bandgap啊

sean_4413

当通以vdd时，电路可能稳定在0状态，所以需要启动电路。
可以这样分析：0状态时，所有的nmos管G级都为0，所有的pmos管G级都为vdd。这样MS4的G极电压为vdd，MS4
管导通，提供电流给MS3，MS5复制MS3电流，这样R2X电压升高，电压离开0稳态，进入正常工作状态。此时，R2X电压的升高使得MS2导通，这样MS4得G级电压降低，使得MS4截止。
图看不大清楚，MS2的W/L应该比较大，类似于一个小电阻，MS1是个倒比管，是个大电阻，这样电压分配在MS4的G级电压可以很小，使得电路正常工作时，STARTUP CIRCUIT 关断。

xwlpxc

/ k+ k# G$ \* h2 {6 b  i
这个电路是IEEE的，应该没有错误。
sean_4413:   
可以这样分析：0状态时，所有的nmos管G级都为0，所有的pmos管G级都为vdd。这样MS4的G极电压为vdd，
前面半句可以理解。后面半句很疑惑？
根据电路连接特点：应该是所有PMOS的S/B级都连接到VDD的，所以是VDD。 G级怎么是VDD?


另外 guang3000认为 MS1最好w大些，但是IEEE的作者却取的是这个电路里面的最小值，W=0.8. 不知你怎么解释？

xwlpxc

还有一个问题：一个工艺上的问题：
0.18UM某工艺里面的MOS模型有nch,pch,nmos_rf,pmos_rf等。  RF MOS模型nmos_rf,pmos_rf的尺寸不知为什么限制得的很小，W宽度限制在1.8~8um；而nch,pch的宽度W则是0.22~900um。
在设计LC VCO及其他附属AFC电路包括数字部分的时候，很明显，要用到射频电感模型，varator，MIM等。
我的问题是：  MOS应该选择那种模型呢？
选择baseband device model:nch pch还是RF device model:nmos_rf,pmos_rf?

因为 这里除了VCO以外还有其他的数字部分。


模型库同时提供两种大的类型的MOS模型，是否表示可以同时在一个片上实现？

xwlpxc

对于射频工艺了解较少，谢谢。

tgaayd

貌似bias是由最左边的支路提供的，不然启动电路没用啊，而且有bias的话也就用不着启动了，自偏置才要启动

   

原帖由 xwlpxc 于 2009-3-24 20:12 发表

                               
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/ k+ k# G$ \* h2 {6 b  i
这个电路是IEEE的，应该没有错误。
sean_4413:   
可以这样分析：0状态时，所有的nmos管G级都为0，所有的pmos管G级都为vdd。这样MS4的G极电压为vdd，
前面半句可以理解。后面半句很疑惑 ...

122013137

MS2的W/L应该比较大，类似于一个小电阻

122013137

MS2的W/L应该比较大，类似于一个小电阻