关于spice model

liusupeng

请教各位大侠， 怎么从spice model 里面找出一些最基本的parameter用来做hand calculation。 mobility, vth0 很容易找到， 但是如果是要找mobility随temperature的变化呢？

aww

看hspice 手册，里面对不同level的模型有计算的介绍
手算超复杂啊

refugee

你可以查看HSpice Quick Reference里的章节，有一些提取LV1 模型参数的命令

sea11038

不知道lz怎么手工计算的，我基本上用到的参数就是model里mos管的tox，Vth0，u0，其它的还有lmin，lmax，wmin，wmax可以参考。基本公式肯定是Id＝0.5＊u0＊Cox＊（Vgs－Vth0）e2了，gm也可以计算出来，其中Cox＝Eox／tox，Eox是栅氧的介电常数，在Allen的教材60页可以查到。虽然有一定误差，但比较接近，仿真时可以设置变量扫描，再找到合适的置。这样好像过于简单，还应该估算沟道长度调制和体效应，但我目前还太不清楚怎么估算，有高人可以继续指点。

f3661521

为了 信元

xjbuestc

哪位高人能说哈咋个得到沟道长度调制系数吗 没有这个没法算交流等效电阻的啊

jjw

U0是迁移率吗？我觉得好象不是！因为通过MOS管的直流工作点分析出来的电流，Vdsat，计算出来的好像差别很大

erdong2000cn

手算的话，你这种方法好像实用性不大，并且参数太复杂，不太适合工程应用。
实际电路设计时,我见到的有两种做法：
1）将hspice model 参数公式带入计算工具，如matlab，excel 表格也可以做；现在好像可以搜到牛人写matlab op 工具包。将需要的参数输入，得到宽长比、电流等
2）gm/id 这种方法，较为适合工程应用，结果也算准确。

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gm/id 这种方法在EE240课程上讲过，附件时本论坛兄弟发的关于gm/id 的paper，借花献佛。

[ 本帖最后由 erdong2000cn 于 2009-8-6 10:52 编辑 ]

duling653

楼上提到的gm/id的方法才是真正有实际操作性的办法，可以避免提取那些参数，再说提出来的也不准

Areky

看model 的说明文件。找到9宫格的格点，然后根据自己的电路mos size,
built basic电路。用hspice run,可以得到所有的参数。
除了物理参数之外。其他model参数都可以得到。..多看hspice mannul,
比如lv9,lv9, lx3,lx4等等。都有具体的参数定义。.