0.18um CMOS工艺中native vt MOS和LVT MOS的区别

hualeizhang_wu · 发表于 2013-5-12 14:09:17

Native 管子的阈值电压随工艺角变化很大啊，这个真是难用。在HHNEC的EF130工艺下ff和ss差了近90mV，如何解决啊？有没有用过这类管子的？求解决方案。

昱矽 · 发表于 2013-5-12 16:14:11

LVT要多一道mask

xyshsi · 发表于 2013-5-22 18:13:12

回复 21# hualeizhang_wu

90mV,相对增强型来说，应该不算大的变化吧，不过一般情况下，NEC 0.35um的仅差60mV.

peterlin2010 · 发表于 2013-9-14 19:44:41

native mos 漏電是

substrate current 嗎??

byd306 · 发表于 2013-9-16 22:09:43

LVT因該是Vth小但不是負的

LVT是給high speed設計用的
Native要小心用打的開怕關不掉

jzhliu · 发表于 2014-11-19 10:14:55

native的MOS能看作是耗尽型的吗？

血溶伊剑 · 发表于 2015-1-5 11:17:59

受教了。。。

志国 · 发表于 2015-6-18 17:01:52

又学到新东西啦，谢谢哈。

蓝一 · 发表于 2015-11-10 20:03:55

回复 4# xxgeneral

是啊，能来这里真好，每天都能学到东西

SHAOJIHUA1234@1 · 发表于 2017-10-16 10:12:12

,学习中

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