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楼主 |
发表于 2009-2-12 15:34:24
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谢谢大家的指点,总结如下
原帖由 standup 发表
应该是工艺自身的原因,diode在标准的cmos工艺中制造不是很方便,控制比较困难,而vpnp是标准工艺中的寄生器件,性能稳定。而且
大多数工艺中,PNP比二极管有更好的温度特性,有更低的噪声
原帖由 skylice 发表
最好不要代替 , badgap里面假如是带隙基准,二极管参数估计不全。。。假如不是,估计问题不大。。。。
原帖由 yp0306 发表
理论上用PNP和NPN或是DIODE都是可行的,从理论推倒并没有要求是那种器件.不过最好用PNP,因为能跟标准CMOS工艺兼容,如果工艺支持
用NPN也是可以的,但是不推荐用DIODE,因为DIODE在建模时偏重的特性不一样,所以未必准确
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