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查看: 9827|回复: 8

请教: bandgap里面的VPNP可以用LPNP或者二极管代替吗?

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发表于 2009-2-6 12:49:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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UMC的0.5工艺里就没有VPNP。如题,有什么差别吗,二极管会不会因为比较少用在电路里面,二极管的模型会比较不精准呢?谢谢!

[ 本帖最后由 guang3000 于 2009-2-6 12:51 编辑 ]
 楼主| 发表于 2009-2-6 20:35:09 | 显示全部楼层
自己顶上
发表于 2009-2-8 20:29:08 | 显示全部楼层
shixiong ,帮你顶!
以前的一个贴,看看有没有帮助。

http://www.eetop.cn/bbs/thread-135810-1-1.html
发表于 2009-2-8 20:51:33 | 显示全部楼层
要看你工艺提供什么类型的管子  

替换是可以的  但是在具体版图中 两者有所不同
发表于 2009-2-8 21:01:04 | 显示全部楼层
最好不要代替

badgap里面假如是带隙基准,二极管参数估计不全。。。
假如不是,估计问题不大。。。。
发表于 2009-2-10 19:34:16 | 显示全部楼层
理论上用PNP和NPN或是DIODE都是可行的,从理论推倒并没有要求是那种器件.
不过最好用PNP,因为能跟标准CMOS工艺兼容,如果工艺支持用NPN也是可以的,但是不推荐用DIODE,因为DIODE在建模时偏重的特性不一样,所以未必准确
 楼主| 发表于 2009-2-12 15:34:24 | 显示全部楼层
谢谢大家的指点,总结如下



原帖由 standup 发表

应该是工艺自身的原因,diode在标准的cmos工艺中制造不是很方便,控制比较困难,而vpnp是标准工艺中的寄生器件,性能稳定。而且
大多数工艺中,PNP比二极管有更好的温度特性,有更低的噪声




原帖由 skylice 发表

最好不要代替 , badgap里面假如是带隙基准,二极管参数估计不全。。。假如不是,估计问题不大。。。。




原帖由 yp0306 发表

理论上用PNP和NPN或是DIODE都是可行的,从理论推倒并没有要求是那种器件.不过最好用PNP,因为能跟标准CMOS工艺兼容,如果工艺支持

用NPN也是可以的,但是不推荐用DIODE,因为DIODE在建模时偏重的特性不一样,所以未必准确


发表于 2009-2-12 22:18:03 | 显示全部楼层
这个问题很好,明天去请教高人
发表于 2018-2-4 09:05:44 | 显示全部楼层
學習了!感謝
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