你们设计的OSC，精确吗？

guang3000

最近我调了一个300Mhz osc, 连上bandgap和外置电阻，process 变化只有2M , 在不同温度，工艺角，电源电压的情况下是 -5% to +5% , 就看流片的结果如何了

yangyu3213

原帖由 flyingwolf 于 2008-12-28 19:07 发表

                               
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看起来你好像用的是RC充放电电路，这种本身对于Process coner要求高，此外受电源电压变化的影响也大。我想从结构上，决定了你的OSC精度不可能会高，通常业界内做到20%很容易，要精度更高一些，建议采取Case code电 ...

牛人能解释一下么？

大大山

原帖由 flyingwolf 于 2008-12-28 19:07 发表

                               
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看起来你好像用的是RC充放电电路，这种本身对于Process coner要求高，此外受电源电压变化的影响也大。我想从结构上，决定了你的OSC精度不可能会高，通常业界内做到20%很容易，要精度更高一些，建议采取Case code电 ...

其实RC充放电电路，电流对其固然没有影响，不知你所说的是采取什么方式。

flyingwolf

如果用RC电路生成ramp，电容的充电电流由(Vcc-Vc)/R决定，所以它会随着Vcc的变化而变化，除非你有Regulator给OSC单独供电。
用电流源给Capacitor充电，那么无论Vcc如何变化，无论Vc如何变化，电流不会改变，可以精确的控制Capacitor的充电速率，从而控制了时间。
误差来源主要来自于Current source和RC的process误差，这是我们设计无法决定的，建议将current source采取共源共栅的结构，RC在Layout的时候也要小心，电容的宽度进可能宽，电容进可能作成正方形。
我不是专业做OSC的，只不过作系统的时候用过，因此我的观点也不一定对，仅供参考！

大大山

原帖由 flyingwolf 于 2008-12-31 00:10 发表

                               
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如果用RC电路生成ramp，电容的充电电流由(Vcc-Vc)/R决定，所以它会随着Vcc的变化而变化，除非你有Regulator给OSC单独供电。
用电流源给Capacitor充电，那么无论Vcc如何变化，无论Vc如何变化，电流不会改变，可以精确 ...

其实，我们有一种结构，只与RC的工艺有关，与其电路中的电压和电流无关。但工艺，我们无法控制，在现工艺条件下，只能寻求新的结构，才能到达很精确的RC振荡电路

flyingwolf

什么结构？

大大山

原帖由 flyingwolf 于 2009-1-1 12:01 发表

                               
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什么结构？

可以把R端的电压做为参考，这样频率只与工艺有关。

fanghua08

后仿之后数据更可靠一些

zhanweisu27

OSC结构对精度影响也不小

有本书对结构的演进写得很详细

behzad

可以把R端的电压做为参考，这样频率只与工艺有关。
大大山 发表于 2009-1-1 21:49

                               
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赞同，我们也曾经这么做过。不过不知道你有没有遇到这样一个问题，如果拿R段的电压作为参考，那么比较器的响应时间会随着电源电压变化（通过参考电压的变化），如果把比较器做成高速比较器，那么功耗会相对大一些。这个其实有点困扰。