请教关于过驱动电压的问题

comeleiver · 发表于 2008-12-24 12:18:39

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比如我要设计一个MOS管的过驱动电压为0.2V，在cadence spectre中设计电路的时候查看静态工作点，是看VGS-Vt使它为0.2V，还是看Vdsat为0.2V呢？VGS-Vt和Vdsat差别还是有点大。
谢谢大家！！

cicixu · 发表于 2008-12-24 16:25:48

过驱动的定义是VGS-VT ， vdsat是在某一个VGS下管子达到饱和的ds电压，所以是看VGS-VT

intercon · 发表于 2008-12-24 18:49:31

个人这样理解：

Vdsat 是线性区与饱和区边界时Vds的大小
Vod 是Vgs 与 Vth之差，饱和区电流较大时，有Vod大于Vdsat，Vod体现了管子的工作状态

intercon · 发表于 2008-12-25 20:03:26

怎么没跟贴啊

XD0909 · 发表于 2008-12-25 21:28:07

Vdsat 是线性区与饱和区边界时Vds的大小
Vod 是Vgs 与 Vth之差，饱和区电流较大时，有Vod大于Vdsat，Vod体现了管子的工作状态；Vod是判断晶体管工作状态的一个条件

comeleiver · 发表于 2008-12-26 09:51:22

那就是调参数的时候偏置主要看vgs-vt，看饱不饱和就看vds是不是大于vdsat就可以了

guang3000 · 发表于 2008-12-26 11:58:46

难道vod 英文全称是 voltage over drive?

122013137 · 发表于 2008-12-26 14:22:44

我是来听jj的，LZ继续讲

icsb · 发表于 2008-12-26 14:45:18

一般来说，如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat，那么Vds>Vdsat，管子就工作在饱和区了，

上面的结论只对长沟道器件有效，大家现在一般做0.5u的process的话，就要考虑二阶效应了
此时，如果 Vds<Vdsat,工作在triode region，Vod close to Vdsat
Vds>Vdsat,工作在saturation region，Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路，在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度，容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解，欢迎大家指教！
大家可以参考 http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod（Vgs-Vth）就可以了。

[ 本帖最后由 icsb 于 2009-2-23 14:02 编辑 ]

intercon · 发表于 2008-12-26 15:55:21

一般不会让Vds=Vdsat，否则状态不稳定，容易进入线性区

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