上面的结论只对长沟道器件有效,大家现在一般做0.5u的process的话,就要考虑二阶效应了
此时,如果 Vds<Vdsat,工作在triode region,Vod close to Vdsat
Vds>Vdsat,工作在saturation region,Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路,在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度,容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解,欢迎大家指教!
大家可以参考 http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod(Vgs-Vth)就可以了。