TVS 管制作问题

andyjackcao

各位
不知道有没有人曾经设计过TVS管；

它用什么工艺可以做？

我看了下TVS管的一般原理，主要参数有

.击穿电压（VBR）：TVS在此时阻抗骤然降低，处于雪崩击穿状态。
B.测试电流（IT）：TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得。一般情况下IT取１MA。
C.反向变位电压（VRWM）：TVS的最大额定直流工作电压,当TVS两端电压继续上升，TVS将处于高阻状态。此参数也可被认为是所保护电路的工作电压。
D.最大反向漏电流（IR）：在工作电压下测得的流过TVS的最大电流。
E.最大峰值脉冲电流（IPP）：TVS允许流过的最大浪涌电流，它反映了TVS的浪涌抑制能力。
F.最大箝位电压（VC）：当TVS管承受瞬态高能量冲击时，管子中流过大电流，峰值为IPP，端电压由VRWM值上升到VC值就不再上升了，从而实现了保护作用。浪涌过后，随时间IPP以指数形式衰减，当衰减到一定值后，TVS两端电压由VC开始下降,恢复原来状态。最大箝位电压VC与击穿电压VBR之比称箝位因子Cf，表示为Cf= VC /VBR，一般箝位因子仅为1.2～1.4。
G.峰值脉冲功率(PP)：PP按峰值脉冲功率的不同TVS分为四种，有500Ｗ、600Ｗ、1500Ｗ和5000Ｗ

那么只要CMOS工艺能满足这些要求，也是能做的，对吗？

[ 本帖最后由 andyjackcao 于 2008-11-28 21:51 编辑 ]

lpguan2009

我做过，普通的CMOS工艺就可以做TVS. TVS主要结构就是一些二极管之类的。但是小的封装也是很有要求的

andyjackcao

原帖由 lpguan2009 于 2009/5/19 06:42 发表

                               
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我做过，普通的CMOS工艺就可以做TVS. TVS主要结构就是一些二极管之类的。但是小的封装也是很有要求的

多谢
如果要做大功率的TVS,采用轴向或贴片封装形式,可以实现吗?

andyjackcao

[quote]原帖由 yangge78 于 2009/6/25 12:55 发表

                               
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顶！！！！

经过一次MPW后,已经初步了解了TVS管制作需要的工序;
与常规的CMOS工艺还是相差较多的

qiain1789

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