BandGap带隙基准中pnp及电阻的画法

21master · 发表于 2008-10-31 12:36:30

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BandGap带隙基准中pnp及电阻的画法
带隙基准中基准电压由两个尺寸不同的pnp管的Vbe之差加上其中一个较小Vbe的和产生，因此这两个pnp的匹配非常重要，为了画版图上的方便，一般这两个pnp管的尺寸比为8:1，这样，将8的管子围在1的管子周围，可以达到很好的匹配效果，如果图1所示。由于标准CMOS工艺中只有单阱，也就是NWELL，那么在这样的工艺中实际pnp就只能是使用这唯一的NWELL作基极，用NWELL中的P+作发射极，硅片衬底作为集电极，具体画法是发射极在中央，基极包围发射极，集电极包围基极，如图3所示。
为了保证流经两个pnp的e->c电流有相同的参考电压，将两个参考点接入一个运放的两个输入端，由于运放的虚短路特性，保证了参考点的电位相同。运放输入端的电阻匹配也非常重要，其原则是利用中心对称或者轴对称来达到匹配的目的，见图4，图5。
参考资料：edaboard
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=258938&sid=51605d8ad71a40efa2ac575d771647d9

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hebut_wolf · 发表于 2010-5-21 10:44:48

3q 学习了

sunnygddd · 发表于 2013-5-10 13:31:07

太感谢了！

szwxxy · 发表于 2020-12-8 16:02:01

谢谢

lvmingfiona · 发表于 2021-6-20 10:33:14

非常感谢！

fdanalog · 发表于 2021-7-26 16:21:00

图片貌似看不了

zhang489594357 · 发表于 2022-1-5 16:56:20

学习了

penghe666 · 发表于 2022-7-26 11:17:13

图在哪里啊

smart丶杰 · 发表于 2022-11-14 15:15:15

图图呢

sujh0755 · 发表于 2023-6-26 19:38:51

图片呢

BandGap带隙基准中pnp及电阻的画法

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