关于电迁移的问题

yiyangu · 发表于 2008-10-29 22:49:23

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问题如下：
电流密度对电迁移的影响，以及这些影响如何在ic设计和版图上尽量避免？

烦请前辈们指导指导

yiyangu · 发表于 2008-11-10 23:12:41

没有人做这方面的吗？
555555

carefree · 发表于 2008-11-12 10:35:34

电迁移产生的因素主要是电流密度过大，这可能导致连线电子空隙或接触孔处产生电子堆积，从而引起导线电阻增加甚至短路。
建议：根据电流大小调整线宽，多打接触孔

hn11009 · 发表于 2008-11-12 19:56:51

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spongeameal · 发表于 2011-11-8 09:01:22

EM并不见得都是要避免的.

tuohong · 发表于 2011-11-8 09:42:11

一般要遵守design rule上关于metal density的rule。

t87829472 · 发表于 2011-11-8 14:48:22

回复 1# yiyangu

绕线的时候有个选项的，可以避免EM

ayuan1027 · 发表于 2011-11-8 16:51:03

避免大电流从细金属线流过。一般就是加宽金属线吧

icfbicfb · 发表于 2011-11-8 20:18:33

主要是power route上的EM比较严重，当然高速信号上也有可能EM violation，比如超过500~600Mhz，的时钟线上，

防止EM的最简单方法就是加大线宽啊，比如 2 width clock net

对于power route，加大宽度和增加供应也是对的，比如走多层金属布线，

个人认为没必要注意EM啊，一个芯片能用几年啊，如果EM都好，大家不要做芯片了，
一个芯片用100年，哈哈，开个玩笑

icfbicfb · 发表于 2011-11-8 20:19:15

EM随着温度升高，发生的可能性加大，

高温高压是 EM 最critical的corner了， FF corner

hn11009 hn11009 当前离线积分 90 头像被屏蔽	发表于 2008-11-12 19:56:51 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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