求《数字集成电路分析与设计——深亚微米工艺》答案

0000058520 · 发表于 2008-10-26 15:20:15

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如题，谢谢了。

kengzf · 发表于 2008-11-25 10:38:15

我也想要！！！

06004326 · 发表于 2008-12-3 22:49:51

《数字集成电路分析与设计：深亚微米工艺第3版王志功电子工业出版社》（PDF/书签）

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数字集成电路分析与设计：深亚微米工艺（第3版）【国外电子与通信教材系列】

【资料成文时间】： 2005 年8月
【语言】：中文
【页数】： 444
【何人（公司）所著】：（美）David A.Hodges等蒋安平[同译者作品] 王新安陈自力 /电子工业出版社
【文件格式】： PDF
【文件原名】： Analysis and Design of Digital Integrated Circuits: In Deep Submicron Technology, Third Edition
【摘要或目录】：

本书以半导体器件物理为基础，由浅入深逐步阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术。内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。本书的讨论主要基于0.18 mm和0.13 mm CMOS工艺进行的，突出了深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设计的影响。此外，书中还强调了SPICE模拟工具在电路设计中的应用。
本书反映了深亚微米数字集成电路的设计技术发展，内容丰富全面，是一本优秀的教材。既可作为高等院校微电子、计算机、电子工程等专业本科生和研究生的教材和参考书，也可供从事相关领域工作的技术人员参考。
本书是Hodges和Jackson的《数字集成电路分析与设计》的第三版．由新的合著者一一英国哥伦比亚大学的Resve Saleh教授进行了全面修订和更新。这一新版本保持了原著的简洁易用性,添加了全面更新的内容，使本书更适合于21世纪的教学。
本版集中讨论最新的CMOS工艺(0．18μm,0．13μm)，并在全书中使用标准的深亚微米擭型。书中对有关存储器的内容进行了拓展和更新，包含了更多SPICE模拟的内容。此外。增加了很多反映当前工艺和设计实践的新习题和实例。

第1章深亚微米数字集成电路设计
1.1 绪论
1.2 集成电路产业的简要历史
1.3 数字逻辑六设计的回顾
1.1.1 基本的逻辑函数
1.1.2 逻辑电路的实现
1.1.3 噪声容限的定义
1.1.4 瞬态特性的定义
1.1.5 功耗估算
1.4 数字集成电路设计
1.4.1 MOS晶体管的结构和工作原理
1.4.2 CMOS与NMOS
1.4.3 深亚微米互连
1.5 数字电路的计算机辅助设计
1.5.1 电路模拟和分析
*1.6 面临的挑战
1.7 小结
1.8 参考文献
1.9 习题
第2章 MOS晶体管
2.1 绪论
2.2 MOS晶体管的结构和原理
2.3 MOS晶体管的阈值电压
2.4 一次电流-电压特性
2.5 速度饱和公式的来源
2.5.1 高电场的影响
2.5.2 速度饱和器件的电流公式
*2.6 α功率定律模型
2.7 亚阈值传导
2.8 MOS晶体管的电容
2.8.1 薄氧化物电容
2.8.2 pn结电容
2.8.2 覆盖电容
2.9 小结
2.10 参考文献
2.11 习题
第3章制造、版图和模拟
3.1 绪论
3.2 IC制造工艺
3.2.1 IC制造工艺概述
3.2.2 IC光刻工艺
3.2.3 晶体管的制造
3.2.4 制造连线
3.2.5 连线电容和电阻
3.3 版图基础
3.4 电路模拟中MOS晶体管的模型构造
3.4.1 SPICE中的MOS模型
3.4.2 MOS晶体管的具体说明
3.5 SPICE MOS LEVEL 1 器件模型
3.5.1 MOS LEVEL 1 参数的提取
*3.6 BSM3模型
3.6.1 BSIM3中的加载过程
3.6.2 短沟道阈值电压
3.6.3 迁移率模型
3.6.4 线性区和饱和区
3.6.5 亚阈值电流
3.6.6 电容模型
3.6.7 源/漏电阻
*3.7 MOS晶体管中的附加效应
3.7.1 产品中的参数变化
3.7.2 温度效应
3.7.3 电源变化
3.7.4 电压极限
3.7.5 CMOS闩锁
*3.8 绝缘体上的硅工艺
*3.9 SPICE模型小结
3.10 参考文献
3.11 习题
第4章 MOS反相器电路
4.1 绪论
4.2 电压传输特性
4.3 噪声容限的定义
……
第5章静态MOS门电路
第6章高速CMOS逻辑设计
第7章传输门和动态逻辑设计
第8章半导体存储器的设计
第9章存储器设计中的其他课题
第10章连线设计
第11章电源网格和时钟设计
附录A SPICE的简要介绍
附录B 双极型晶体管和电路

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