每日一题—0802

vipjph · 发表于 2012-8-2 09:05:02

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本帖最后由 vipjph 于 2012-8-6 21:36 编辑

1、基尔霍夫定律的内容？
2、解释CMOS中的各种二级效应。
①短沟道效应②窄沟道效应③热电子效应④体效应

欢迎大家积极讨论，最佳答案明日揭晓，参与谈论者30信元奉上。

---------------------------------------答案揭晓---------------------------------------------
1、基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。
电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流的代数和恒等于零。
电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒为零。
2、
短沟道效应（Short-channel effects）：通俗的点将就是短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感。

窄沟道效应(Narow width effect):当场效应晶体管的沟道宽度≈源和漏结的耗尽层宽度时，即为所谓“窄沟道”器件。器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应——晶体管的阈值电压升高。

热电子效应：由于在器件尺寸缩小的过程中，电源电压不可能和器件尺寸按同样比例缩小，这样导致MOS器件内部电场增强。当MOS器件沟道中的电场强度超过100kV/cm时，电子在两次散射间获得的能量将可能超过它在散射中失去的能量，从而使一部分电子的能量显著高于热平衡时的平均动能而成为热电子。高能量的热电子将严重影响MOS器件和电路的可靠性。

体效应（又叫衬偏效应）：对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏电压。
由于加上了衬偏电压的缘故，即会引起若干影响器件性能的现象和问题，这就是衬偏效应。
对器件性能的影响：
1》阈值电压升高
2》沟道电阻增大
3》产生衬底电容
4》输出电阻增大

答案来自回帖及网络整理，如答案不确切，欢迎批评指正。

水木东华 · 发表于 2012-8-2 09:27:07

基尔霍夫定律是德国物理学家基尔霍夫提出的。基尔霍夫定律是电路理论中最基本也是最重要的定律之一。它概括了电路中电流和电压分别遵循的基本规律。它包括基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL）。
KCL:简单的说就是任意结点电流，流进的等于流出的
kvL：简单点说就是任意回流电路，升压的等于降压的

水木东华 · 发表于 2012-8-2 09:35:27

短沟道效应（Short-channel effects）：通俗的点将就是短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感。

水木东华 · 发表于 2012-8-2 09:38:26

窄沟道效应(Narow width effect):当场效应晶体管的沟道宽度≈源和漏结的耗尽层宽度时，即为所谓“窄沟道”器件。器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应——晶体管的阈值电压升高。

水木东华 · 发表于 2012-8-2 09:40:21

热电子效应：由于在器件尺寸缩小的过程中，电源电压不可能和器件尺寸按同样比例缩小，这样导致MOS器件内部电场增强。当MOS器件沟道中的电场强度超过100kV/cm时，电子在两次散射间获得的能量将可能超过它在散射中失去的能量，从而使一部分电子的能量显著高于热平衡时的平均动能而成为热电子。高能量的热电子将严重影响MOS器件和电路的可靠性。

水木东华 · 发表于 2012-8-2 09:47:20

体效应（又叫衬偏效应）：对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏电压。
由于加上了衬偏电压的缘故，即会引起若干影响器件性能的现象和问题，这就是衬偏效应。
对器件性能的影响：
1》阈值电压升高
2》沟道电阻增大
3》产生衬底电容
4》输出电阻增大

水木东华 · 发表于 2012-8-2 09:58:30

避免衬偏效应的方法：降低衬底的掺杂浓度，或者减小氧化层厚度（增强栅极的控制能力）。

Timme · 发表于 2012-8-2 15:45:36

要注意基尔霍夫定律是个近似定律，不是什么时候都成立的。

yousee · 发表于 2012-8-2 17:45:54

我来打个酱油

wuwentao111 · 发表于 2012-8-2 20:43:32

我也是

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