浮栅放大器(floating_gate AMP)

zjqmyron

找了一些基于浮栅技术的模拟电路设计的资料，供大家参考

fanjx

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fanjx

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piao

请教一下，这种用法常见吗？
因为floating gate device 需要特殊工艺

谢谢！

zjqmyron

   

原帖由 piao 于 2008-10-6 21:16 发表

                               
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请教一下，这种用法常见吗？
因为floating gate device 需要特殊工艺

谢谢！

使用浮栅技术只是想通过降低阈值电压来减小电源电压，以达到超低功耗的目的，
而另一种达到相同目的的方法是施加衬底电压。两者应该是各有利弊。
你说的对浮栅需要特殊工艺，会增加成本，但对于一些特殊的场合也就不计较了。。

找了一片国内的文章，里面对两者写了几句。可以参考

andy2000a

不太懂 為何要使用 model 不準的 float GATE  ??  一般 如前說  advance procee (有本 high performance processor design  提過 很多  低漏電的電路  ,  substrate 加 bias 是一個方式  .  至於 floating gate  如果說使用 FIELD oxide 來做 mos  , 除了 Vth 很高   有其他優點 嗎 ??        如果 是 pure analog design 要 低耗電  該使用別的方式吧  .  另外一個 float gate 是使用 eeprom  process  這是以前使用 eeprom  本身有 float GATE  可使用 ,    但是 一般都是 digital circuit       以前有聽說過  使用  double poly  process 可使用  放電方式  做到 類似 eeprom  電氣方式   . 因為 不是所有 process 有 eeprom 可存資料   如果 只有幾bit   可以 偷偷使用 DOUBLE POLY 做出 EEPROM 但是 可靠度是一個問題 .

zjqmyron

我也不太清楚在低电压设计中对上述两者间的考量与选择，似乎衬底偏置的方法更普遍，更容易实现
不过在Multiple-input，programmable gain等特殊方面有一定的应用吧。

liuzhieetop

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cgxcgx2005