不同工艺下电子迁移率有区别么

xiao_ga · 发表于 2008-8-25 14:41:50

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不同工艺下电子迁移率有区别么

我怎样可以得到不同工艺下相应的典型工艺参数呢，如阈值电压、电子/空穴迁移率等

xiao_ga · 发表于 2008-8-25 17:32:58

有没有具体工艺的具体参数表呀

hahaT-MAC · 发表于 2008-8-29 16:39:34

工艺越小越明显吧?

vwxy420 · 发表于 2008-8-29 23:51:21

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xiaod1111 · 发表于 2008-8-30 16:40:09

即使是同种工艺，不同的代工厂商生产得到的产品迁移率都差很多（charter的数据就比smic的高不少）具体数据可以从投片公司获得。

semico_ljj · 发表于 2008-9-17 09:07:05

TSMC和SMIC接近

wangot · 发表于 2008-9-17 10:53:17

自己作个曲线图都可以

wll0411 · 发表于 2008-9-17 16:44:43

FAB那里有数据的。你可以看到。这个经验吧。做的项目多了，接触的工艺就多了，就大概知道各种工艺的典型参数了。

semico_ljj · 发表于 2008-10-13 17:37:13

da^^^^^

jinglingmao · 发表于 2009-8-13 21:01:29

当然不同啦，掺杂都不同

好，我看看