为什么spectre里面的vdsat不等于vgs-vth

semico_ljj · 发表于 2008-8-2 12:07:57

原帖由 multiplus 于 2008-7-31 20:42 发表

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一般在做运放时都需要手工设计很多指标吗，如果是反向设计呢？

反向设计就先看工艺参数，一般模拟的就结构可以借鉴，其它的还是要靠自己仿真的！

lxcmanager · 发表于 2008-8-2 17:54:18

Vdsat仅作为一个好的参考，不是精确值！

hzqziggy · 发表于 2008-8-2 18:37:51

vdsat 还是一个比较重要的参数的，取得太小的话电流镜的匹配会比较差所以还是要折衷的

sprinkler · 发表于 2008-8-9 19:46:13

那个叫overdrive 因为在漏端由于body effect Vth要比在源段大，所以vdsat要小

XD0909 · 发表于 2008-8-10 21:40:11

Vth不等于Vth0的。BIM3V3的model不在符合平方关系的。可以看看BIM3V3model

Steam · 发表于 2008-8-11 00:00:28

原帖由 refugee 于 2008-7-24 20:46 发表

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Vdsat在.5工艺下一般取200mv或大约30%的Vth就可以保证了，当然corner的因素能在手工中计算最好

这有什么根据?

refugee · 发表于 2008-8-16 22:58:27

原帖由 Steam 于 2008-8-11 00:00 发表

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这有什么根据?

这是一个实验值，在200mv的情况下，跨导和电流的关系是最优的

sansen的书里有提到这点

pengling · 发表于 2008-8-18 22:42:36

实际中,肯定不一样拉
我们通常说等于Vgs-Vth,是因为我们希望这样的输出是在饱和情况下,输出的电压最小,从而摆辐尽可能的大,是最好的
实际中,由于沟道调制,肯定会大与Vgs-Vth.
我们可以通过调大宽长比,来使Vds接近Vgs-Vth

xixiyan · 发表于 2008-9-26 16:36:21

When velocity saturation is significant, VDSAT<VGS-VTH. L larger, VDSAT=VGS-VTH.

semico_ljj · 发表于 2008-9-26 18:11:33

原帖由 refugee 于 2008-8-16 22:58 发表

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这是一个实验值，在200mv的情况下，跨导和电流的关系是最优的

sansen的书里有提到这点

一般200mV～300mV，
0.18um一下，可以100mV

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