为什么spectre里面的vdsat不等于vgs-vth

refugee · 发表于 2008-7-24 20:46:27

原帖由 zaitian80 于 2008-7-24 18:27 发表

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Vdsat还是要足够大的，否则工艺漂移的时候结果差别会很大的。可以用FF/SS模型仿真比对一下就知道了

Vdsat在.5工艺下一般取200mv或大约30%的Vth就可以保证了，当然corner的因素能在手工中计算最好

tjjbraye · 发表于 2008-7-24 21:27:19

MOS管工作在饱和的时候，Vgs-Vth大于或等于Vdsat。也就是说，只有当gs-Vth大于或等于Vdsat的时候，mos才能饱和
vdsat不是由Vgs-Vth决定的，他有一个计算公式，在施敏书的P185上有

sunblade2000 · 发表于 2008-7-24 22:25:17

vdsat=vgs-vth是一阶模型，49级模型不是这样算的吧。我一般是看实际的vds和vdat的关系

yf.hu · 发表于 2008-7-25 09:27:54

BSIM3中的Vth0是在大尺寸器件中提取的值，而对于小尺寸器件的Vth=vth0-短沟效应+反短沟效应+窄沟效应-反窄沟效应+····················。

jerwei · 发表于 2008-7-30 01:44:23

原帖由 refugee 于 2008-7-24 20:46 发表

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Vdsat在.5工艺下一般取200mv或大约30%的Vth就可以保证了，当然corner的因素能在手工中计算最好

受益良多~

thanks a lot!!

semico_ljj · 发表于 2008-7-30 12:10:11

在低压设计中，Vds可以取100mv～150mv，200mv可能太大，导致输出摆幅减小！甚至50mv的也见过！

stoneduan · 发表于 2008-7-31 18:12:17

原帖由 semico_ljj 于 2008-7-30 12:10 发表

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在低压设计中，Vds可以取100mv～150mv，200mv可能太大，导致输出摆幅减小！甚至50mv的也见过！

同意，1.2V的工作电压vdsat留这么多，输出范围也就没多大了

multiplus · 发表于 2008-7-31 20:42:30

一般在做运放时都需要手工设计很多指标吗，如果是反向设计呢？

wwli1982 · 发表于 2008-8-1 15:26:13

那个值是考虑过速度饱和等因素后的计算值，通常我们认为vdsat为一个过驱动电压值只是个近似值

zaitian80 · 发表于 2008-8-1 18:21:52

原帖由 multiplus 于 2008-7-31 20:42 发表

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一般在做运放时都需要手工设计很多指标吗，如果是反向设计呢？

我的理解如下：

根据你的需要来确定指标并选择电路结构和参数

如果是反向则根据电路结构和参数猜测其设计规格

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