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如何提高CMOS LNA的IIP3?哪些因素限制了IIP3,P1DB指标?

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发表于 2008-7-13 12:11:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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发表于 2008-7-13 15:27:25 | 显示全部楼层
可以尝试增加过驱动电压,但是对于源简并结构的LNA,由于牵涉到反馈,可能效果不明显,可以同时调整输入匹配网络
发表于 2008-7-16 19:47:32 | 显示全部楼层
加大电源电压解决voltage headroom的问题,改变Load, e.g.变resistor为LC tank,加degenerative的inductor,还有就是补偿寄生电容的feedback和leakage啦,最简单的就是shunt一个inductor吧它们谐振掉。
方法很多,要视具体电路而定,这么笼统的说不清啊。
发表于 2008-7-16 19:52:20 | 显示全部楼层
斑竹,这些“google提供的广告”能不能不要放在帖子里,弄得到处都是?太annoying了。
都集中在页面上下不行吗?
发表于 2008-7-16 23:34:30 | 显示全部楼层
"补偿寄生电容的feedback和leakage啦,最简单的就是shunt一个inductor吧它们谐振掉"

楼上的兄弟能详细指点一下吗?
发表于 2008-7-17 06:46:21 | 显示全部楼层
低频设计的话就不必这么麻烦了,在razavi最新的60GHz LNA paper里有这个的详细描述,你可以看看,参考下。
他是用quarter line终端接个capacitor来实现inductance谐振掉paracitic capacitance,同时又作为DC bias,比较巧妙。
不过个人认为还是有点问题,你可以看看讨论一下啦。

另外,我不是“兄弟”是“姐妹”啦。
发表于 2008-7-17 07:45:33 | 显示全部楼层
众所周知,IIP3是由于MOS管IV的非线性引起的。我们知道MOS管的gm不是跟vgs简单的正比关系,而是存在非线性特性。如果用Taylor级数展开,gm可以表示为:gm=gm0+gm1*vov+gm2*vov^2+gm3*vov^3+gm4*vov^4+...
其中,vov=vgs-vt,而我们都知道造成IP3的主因是gm3,如果gm3为0,理论上说,你的就会有无穷大的IP3。
有趣的是,gm3的大小,跟MOS管的偏置电压有关,当偏置电压到某个值时,gm3会变得很小,于是有人做个LNA就是想法用个反馈环把LNA的偏压锁定在这个电压附近。但这并不是一个完美的解决方案,因为上面提到的这个偏压往往很低,出现在了MOS管的阈值电压附近。所以,有人有想了一个办法,就是在LNA傍边,再加放一个MOS管,用一定的偏压,使之产生的gm3恰好可以抵消LNA里面的MOS管的gm3。于是这种方法广泛地出现在了需要高度线性的LNA的系统里,比如WCDMA的手机。
呵呵,说得可能太理论了,太快了,但是这个方法确是实现高线性度LNA的最重要的方法之一。
 楼主| 发表于 2008-7-20 11:02:57 | 显示全部楼层
这种方法我试过了,可以达到+15dbm的IIP3,但是这种方法用在产品上风险太大。
因为随PVT变化太大。
发表于 2008-9-28 02:43:34 | 显示全部楼层
gain and IIP3 are not
发表于 2009-6-30 11:51:26 | 显示全部楼层
可以 over design 你的管子,使得功率容量更大些来提高 IIP3

feedback 的方法是通过降低增益牺牲点噪声来达到提高 IIP3和带宽的

比较好的可能就是 replica bias 嵌位偏置在管子最佳状态,还可以抵抗VDD的变化和提高PSRR
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