关于bandgap中运放的仿真？？

ohoh · 发表于 2008-7-1 08:50:13

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在各不同工艺脚和温度下，仿真bandgap中的运放时，有的条件下，差动对的尾电流那各管子不在饱和区，但是整个运放的增益和相位裕度都满足要求，也能保证正负输入端电位基本一样。我应该怎么处理呢？是继续调电路使得各个条件管子都在饱和区，还是不用在调了，因为运放的指标已经满足了？

super_im · 发表于 2008-7-1 10:46:44

我的建议是你要调一下，因为非饱和区的MOS工作电流你是无法确定的！！这个时候电流的变化非常大！而且处于非饱和区你的镜像电流（或者自偏置电流）就毫无意义！仿真是基于你运放的工作点来完成的，实际上你的工作点不一定是这个，所以一定要调~

luyan · 发表于 2008-7-4 16:24:40

我也遇见过同样的问题,受教了

61angel · 发表于 2008-7-14 03:32:54

怎么仿相位裕度啊？以哪个点做输出点？

guonanxiang · 发表于 2008-7-15 10:32:54

原帖由 ohoh 于 2008-7-1 08:50 发表

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在各不同工艺脚和温度下，仿真bandgap中的运放时，有的条件下，差动对的尾电流那各管子不在饱和区，但是整个运放的增益和相位裕度都满足要求，也能保证正负输入端电位基本一样。我应该怎么处理呢？是继续调电路使得各 ...

猜测是VDS太小进入线形区？输入电压超出了最低输入电压范围？
不知道你的bandgap是什么结构有什么影响不好做判断
仿真通过不代表实际不出问题，所以仿真结果都应该有较大的裕量