关于bandgap中运放的仿真？？

smelly

在各不同工艺脚和温度下，仿真bandgap中的运放时，有的条件下，差动对的尾电流那各管子不在饱和区，但是整个 ...
ohoh 发表于 2008-7-1 08:50

                               
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    兄弟，必须要把尾电流管调到饱和区，否则即便是增益和相位裕度够，但整个bandgap的PSR不一定好，运放的增益就是为了提高PSR的

好速度

樓上的正解~

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我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度 约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等