LAYOUT中多晶硅和金属布线的时候是否可以交叉?

chenzhao.ee · 发表于 2008-5-22 16:48:19

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在一些复杂的版图设计当中,金属布线不能满足需求的时候或许可以采用多晶硅布线,尤其对于一些弱电流路径例如MOS管的栅极.有一点我不明白,在一个金属层上金属和多晶硅布线时可以交叉,难到不怕短路吗?
呵呵,对IC工艺了结的有限,问了这样的问题,谢谢指点!!

jinglingmao · 发表于 2009-8-13 20:22:18

有contact才会短路，不同层的，你应该学习下工艺

boyangeda · 发表于 2009-8-17 16:30:04

poly层在M1的下面，两个楼上楼下，怎么会短路啊

sxwangan · 发表于 2009-9-3 00:23:30

多看看工艺方面的资料，就可明白其中的道理。

emerlai · 发表于 2009-9-3 11:32:48

From bottom to top...
N/P Substrate->Active region-> N+/P+ ->Gate Oxide->Poly Gate->Contact->Metal 1 -> Via 1 ->.....
Metal 1 and poly gate is not the same layer.

zq2164 · 发表于 2009-9-3 21:03:36

Yes, it is process technology question.

orphan · 发表于 2009-9-4 14:25:55

楼上楼下，可以交叉
面对面，不能交啊，
否则会有麻烦的

yiluqing · 发表于 2010-10-11 15:23:04

呵呵是的！

bhcsayx · 发表于 2010-10-12 00:13:03

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

smn1380 · 发表于 2010-10-16 17:46:46

Your knowledge on process is not enough.
Please study some good VLSI book as soon as possible.

bhcsayx bhcsayx 当前离线积分 4050 头像被屏蔽	发表于 2010-10-12 00:13:03 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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