请教：关于输入管衬底接法的问题

timesmile · 发表于 2008-4-14 23:48:13

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

一般来说，将输入管的衬底接源极可以避免背栅效应（体效应）

但如果是N阱工艺，想将运放的NMOS差分输入管的衬底接源极，请问怎么实现（我有试过，但是lVS出错，似乎是因为所有NMOS共用衬底的原因）

谢谢！

phase2000 · 发表于 2008-4-15 06:47:55

这是不可能的对双井工艺尔言,除非你用三井工艺

timesmile · 发表于 2008-4-15 09:42:37

那在N阱工艺下，做差分运放的输入，
只能将N管的衬底接地吗或者是使用P管输入？

douya · 发表于 2008-4-15 09:58:21

N-well里不是生成pmos吗？nmos也坐在N-WELL里边？？

nmos如果在衬底上，衬底是接最低电位的。

可以采用pmos输入，在nwell里将源和衬短接

timesmile · 发表于 2008-4-15 10:22:30

原帖由 douya 于 2008-4-15 09:58 发表

 登录/注册后可看大图

N-well里不是生成pmos吗？nmos也坐在N-WELL里边？？

nmos如果在衬底上，衬底是接最低电位的。

可以采用pmos输入，在nwell里将源和衬短接

nmos是做在衬底上的

看来我做输入的话只能用PMOS了

yefengear · 发表于 2008-4-17 17:50:43

用类似uA741的结构就可以，但电源电压的最小要求要大些

timesmile · 发表于 2008-4-21 10:02:18

原帖由 yefengear 于 2008-4-17 17:50 发表

 登录/注册后可看大图

用类似uA741的结构就可以，但电源电压的最小要求要大些

不懂，哪位大牛帮忙解释一下

另外，难道只有三阱工艺才可以实现吗

fengtang2332 · 发表于 2009-2-4 10:42:42

三井工艺分别是什么啊？不太清楚啊。

intercon · 发表于 2009-2-4 13:23:19

LZ可以考虑用N阱工艺的PMOS管做输入管，这样可以衬底接地，同时1/f 噪声也较小

vdslafe · 发表于 2009-2-4 16:54:57

为啥一定要跟源级接一起，多麻烦

站长推荐 /2