模拟新手的几个问题

yjsun

1）.18库中有3.3v和1.8v的库，是在工艺制造的时候有区别吗？应用中有电源电压的要求吗？
2）在model里有这个U0 = 3.5000000E-02，就是表面迁移率，它的单位是什么呢？因为经常要用到它来计算。书上的PMOS迁移率的典型值为50  uA/v2，完全对不上呀。
3）常常见到v1p5，v1p5之类，是什么意思？
4）电阻会用到多大的版图，比如说100K的电阻，一个大概的数量级就好，.18工艺。


请指教

yjsun

5）做带隙基准源时候，可以做到从1.8V到3.4V区间内都稳定输出的基准电压吗？因为我只做出来分别在1.3－2.2V；2.7—3.5v稳定输出的基准。

zhanweisu27

1，制造可在一起，电源有区别，应该是1.8V 3.3V，除非你这个特殊，一般3.3V做模拟或IO部分，低压做逻辑等
2，不知道，u0在model里确实指表面迁移率？
3，这种情况p一般指dot，小数点，具体是什么就得看。。。
4，不同类型电阻宽度有不同的约束条件，方块值
5，可以

lovexxnu

model应该多是经验模型不是公势模型，

rabbiezkx

v1p5指的是version 1.5应该指的是你的pdk的版本

bravoxoboy

謝謝 分享
我也正在學習.

xuandc

迁移率和书上差比较多很正常吧

szpz

1）同一工艺有3.3V和1.8V器件，是在工艺制造的时候不同mask来处理的，3.3V器件的gate oxide大概是35A，而1.8大概是65A；可分别用于逻辑部分和接口部分；
2）表面迁移率和迁移率是不同的，n的迁移率一般在1000~2000之间，而p的迁移率一般为300~800之间，一般n和p的比值为2.5左右；
4）取决于电阻的sheet resistance及最小design rule要求，当然也看你的匹配程度要求多大的电阻宽度，以1K的high res poly为例，100K只需要5根30/1.5的电阻就行，面积约为35x15（加dummy及guard ring）
5）一个做好的reference随电压变化是非常小的，以我自己的经验而论，1.25V的输出，在VCC 2~5的范围内，变化小于10mV，而且良率在95%以上，仿真的话就不超过2mV

fengtang2332

谢谢各位大侠！