[东部工艺DBH]关于大面积电阻问题。

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目前遇到这样一个问题
版图中出现多个大面积的poly电阻模块，导致了整体版图上存在了大面积的DIFF空缺。
目前通过了DRC,但是在交付流片的时候，东部发了邮件，希望我们能够在这些电阻间添加DIFF来避免版图上大面积缺失DIFF的问题。

我理解的添加方案就是在图1中我标记箭头的里面加入类似Guardring。具体效果如图2，红色标记的部分就是我用mpp做的GR，

        

请问各位，1.这样添加有必要吗？会引起失配？严重么?   2.在DRC通过的情况下，东部这么建议我们，是因为密度问题吗？还是具体什么原因？   
希望各路大神能解个惑，十分感谢。                                          

林静树

   

拉里kiki 发表于 2024-7-11 17:11
忽略了这个错误后，附近其他器件有问题，还是这片电阻有问题？

芯片流出来整版失效，都是功能正常，在4V以上存在大电流

Tomako

其实放置一些条状的浮空diff就可以了

bubushenghua

   

bubushenghua 发表于 2024-7-11 15:38
我之前看西门子的视频：这样解释的。密度差异大的区域，抛光的平整性会比较差。所以说会有在每步长之间， ...

关于DIFF的密度问题。电路设计工程师为考虑面积因素。（版图要修改这个错误，就扩大了面积）忽略了这个局部密度检查：在150x150的窗口内，步长75，DIFF密度最大80%。原因是R rule。目的是确保制程有better performance。用户可以根据自己的判断来waive violations。

Tdc0001

STI区域太大了会让STI后的那道CMP磨出大凹坑，到时候长poly的时候这个凹坑位置会比其他地方更厚，容易出现poly残留

林静树

失效分析一直没任何结果，我也分析不出来

拉里kiki

   

林静树 发表于 2024-7-11 09:35
这个问题我用东部的工艺流片也遇到了，当时选择了忽略，芯片流出来后整版都失效了，功能正常，存在大电流 ...

忽略了这个错误后，附近其他器件有问题，还是这片电阻有问题？

bubushenghua

   

jessefrank 发表于 2022-9-21 16:41
在其他工艺中出现因为DIFF 密度不够   可能导致CMP工艺中无法很好平坦化的风险  ...

我之前看西门子的视频：这样解释的。密度差异大的区域，抛光的平整性会比较差。所以说会有在每步长之间，密度的检查。

yguvyg

其实不一定非要guardring ,用diff的dummy layer 也可以满足density要求,tsmc是OD dummy ，smic是AA dummy

ncash0933

学习了