哪种结构的Capless型LDO更实用？

扑火 · 发表于 2012-12-4 19:14:01

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大家好，小弟现在研究capless型LDO（不是capfree），已看了些论文，也已在尝试设计，目标是以后能用在产品中。。。
就目前看的有限的paper来说有几种比较典型的补偿结构，比如：
1、Leung的Damping-factor-control frequency compensation
2、VCCS(voltage controllend current sources)
3、动态零点补偿
4、基于FVF（Flipped VoltageFollower）有源反馈的
等，阅读资料有限，列了上面四个。。。
现在有个问题请教做过LDO的前辈们，哪种结构的capless型LDO更实用一些，适合全集成或者用在SOC里面？请有经验的前辈分享一下经验，如果有其他实用的结构能否提供些paper？我要求的LDO负载不会很大，一般都在50mA一下，典型的5mA~20mA。。。
多谢了！

xuehaiwuya1122 · 发表于 2025-8-5 16:14:39

谢谢分享

SEU_Bear · 发表于 2025-7-22 11:44:38

先进工艺SOC我见过用动态零点的，还有普通的，NMOS+CP的。

z1293053926 · 发表于 2025-4-18 16:08:10

感谢分享

bomb · 发表于 2025-2-19 11:28:44

我就想知道为什么一个问题能讨论13年

goyuqinghua · 发表于 2025-2-18 19:26:39

高压的FVF架构看起来不行，vin>20V

范修荣 · 发表于 2025-2-15 18:09:01

本帖最后由范修荣于 2025-2-15 18:25 编辑

capless LDO想要改善瞬态响应，一般是比较困难的，以下是一些可思考的方案:
1、输出挂大电容，百pF甚至nF，但受限于diesize成本
2、提高LDO带宽（增加尾电流，如果需要低功耗设计可以考虑动态偏置，或者自适应偏置，但受限于次级点位置，补偿需要仔细设计）
3、提高调整管栅极的压摆率，可以采用摆率增强电路或者带驱动能力的推挽buffer，摆脱尾电流对摆率限制，相应补偿也需要仔细设计
4、使用高通滤波器，或者高速比较器，额外调整调整管栅压，需考虑多环路问题和PVT问题
5、使用开环设计，例如NMOS1源极输出，驱动调整管NMOS2栅极，但DC精度较差
但总的来说，业界使用的架构是符合简单，鲁棒性较强等特点，论文中较为复杂的方案，可行性个人觉得有待商榷