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[讨论] 哪种结构的Capless型LDO更实用?

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发表于 2012-12-4 19:14:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,小弟现在研究capless型LDO(不是capfree),已看了些论文,也已在尝试设计,目标是以后能用在产品中。。。
就目前看的有限的paper来说有几种比较典型的补偿结构,比如:
1、Leung的Damping-factor-control frequency compensation
2、VCCS(voltage controllend current sources)
3、动态零点补偿
4、基于FVF(Flipped VoltageFollower)有源反馈的
等,阅读资料有限,列了上面四个。。。
现在有个问题请教做过LDO的前辈们,哪种结构的capless型LDO更实用一些,适合全集成或者用在SOC里面?请有经验的前辈分享一下经验,如果有其他实用的结构能否提供些paper?我要求的LDO负载不会很大,一般都在50mA一下,典型的5mA~20mA。。。
多谢了!
发表于 2012-12-4 21:13:06 | 显示全部楼层
看看这篇

An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Undershoot-Reduction for SoC

个人觉得做capless, 通过一个子电路感知output voltage 的spike 直接对power transistor的gate 直接进行相应的充放电,是一个简单明了的解决方案。
发表于 2012-12-4 21:34:33 | 显示全部楼层
相应速度要很快吧?
发表于 2012-12-4 23:25:58 | 显示全部楼层
回复 2# microstudent


    有paper直接看看嘛?
谢谢
发表于 2012-12-4 23:26:21 | 显示全部楼层
回复 2# microstudent


    有论文可以直接看嘛
 楼主| 发表于 2012-12-5 09:11:13 | 显示全部楼层




    谢谢!我去找来看看!请问,您做过这个电路?
 楼主| 发表于 2012-12-5 09:15:12 | 显示全部楼层


相应速度要很快吧?
mekenny 发表于 2012-12-4 21:34




    也没要求很快,不过capless LDO一般都会有瞬态增强的附加结构吧。。。
 楼主| 发表于 2012-12-5 09:18:13 | 显示全部楼层


回复  microstudent


    有paper直接看看嘛?
谢谢
semico_ljj 发表于 2012-12-4 23:25




    这篇文章我已经下到,很新的一篇paper,不过电路有点复杂。。。。一起看吧。。。
 楼主| 发表于 2012-12-5 09:20:27 | 显示全部楼层
An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Undershoot-Reduction for SoC

abbr_305ab0c4b17b95510f8694f04101f54a.pdf (3.19 MB, 下载次数: 4303 )
发表于 2012-12-5 12:27:49 | 显示全部楼层
不过capless LDO一般都会有瞬态增强的附加结构,这个结构倒是有的,只是响应速度快不快是关键!
这个我也做得不太好!也在研究中
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