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查看: 1544|回复: 9

[求助] 如何设计高压电路中的使能端

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发表于 2023-10-17 11:54:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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向大家请教,如何设计高压电路中的使能端?

在设计低压(比如电源电压等于5V)的电路时,使能端是容易实现的,因为这种电路中,管子的Vgs能耐压5V,所以只要保证使能信号为0V或者5V,然后把使能信号连接到管子的栅极就行了。
但在高压电路中,上述方法就不现实了。因为电源电压比较高(比如20V),那么使能信号就是0V或者20V。由于高压电路中管子的Vgs也是5V左右,所以当使能信号连接到管子的栅极时,Vgs的变化就是0V和20V,明显大于5V的耐压。

写了这么多也不知道是否能把我的问题描述清楚。但还是希望能得到坛友们的帮助,先谢谢大家了!!!
发表于 2023-10-17 12:00:28 | 显示全部楼层
应该会有两个电源吧,比如LDO提供5V这种。
发表于 2023-10-17 12:04:39 | 显示全部楼层
bcd design  ..

1. ldpmos  use level shift convert  20- 15v ,  

   ldmos also need  gate cample circuit , in gernal use zener clamp .


2. ldnmos  0~5v  use vdd  power




发表于 2023-10-17 12:59:47 | 显示全部楼层
首先你得使能逻辑输入信号高电平就是电源电压20V,使能端进去的电路又使5V的低压电路?这个逻辑是有问题,一般不会这么设计电路!如果一定要这样,那么你这个使能端口里面就只能采用钳位电路,比如齐纳钳位,直接将使能进入内部电位钳位到5V~6V的电平
发表于 2023-10-17 14:05:16 | 显示全部楼层
levelshift, 将使能信号电平转换,比如N管用0~5V,P管用15~20V。然后用cascode钳位保护。
 楼主| 发表于 2023-10-27 21:50:23 | 显示全部楼层


nanke 发表于 2023-10-17 14:05
levelshift, 将使能信号电平转换,比如N管用0~5V,P管用15~20V。然后用cascode钳位保护。 ...


您好nanke,感谢您的回复。您说的cascode钳位保护是什么意思?能给个电路图吗?或者提供一个参考资料也行啊,多谢了!!!
发表于 2024-10-8 20:12:37 | 显示全部楼层
请问楼主现在解决了吗?
 楼主| 发表于 2024-10-9 10:39:03 | 显示全部楼层


阿格里奇 发表于 2024-10-8 20:12
请问楼主现在解决了吗?


唉,没解决。
发表于 2024-10-9 12:13:05 | 显示全部楼层
level shift 来解决
发表于 2024-10-9 12:31:51 | 显示全部楼层
把使能信号当模拟信号看待,设计一个R2R输入的运放是不是能做到?能做到的话,那么使能只会比这个简单吧。

比如,通过一个LDMOS管来控制一路电流的开关,如果你的电流源在LDMOS的源端,那么LDMOS的VGS不会超耐压。最多给GS加个钳位,防止输入快速变化时内部跟不上导致VGS超压就行了。
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