如何设计高压电路中的使能端

wrss20080407

semico_ljj 发表于 2024-10-9 12:13
level shift 来解决

您好semiconductor_ljj：level shift能起作用吗？一般来说，所谓的高压工艺是针对源漏电压的，可以达到30V以上甚至更高，但是一般来说管子的栅源电压没那么高，也就5V的样子。如果一个PMOS管的源极接一个高压电源vdd，那么用level shift，栅极得到的电压范围不就是(0, vdd)了吗？能保证栅极电压变化在(vdd-5, vdd)的范围之间吗？

analogicer

有没有高压电阻？ 有的话用高压电阻分压。
例如20V分成4:1，因此加20V时，只有5V。 这个电压接NMOS gate , 漏级接电阻到电源，电阻并上3-4个串联Pmos的二极管连接得到Netp。 EN=0是，Netp=20V ,EN=20V时，Netp=20V-4V左右。