华虹CZ6H+工艺设计规则问题

sunny_yangfeng · 发表于 2013-8-28 11:47:19

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在华虹CZ6H+工艺中对于latchup问题有一条规则是衬底接触、阱接触必须放置在使得所有晶体管的diff在扩大3.72um范围以内的要求，如图所示，请问有谁知道这是指的diff的所有点都要在3.72um范围以内还是只是指的边缘的四个角？如果指的所有边那么对于四方交叉画法中间边缘肯定难以满足要求 QQ截图20130828114534.png

教父 · 发表于 2013-8-28 17:25:09

应该是所有点都要在3.72范围以内

coffeeing520 · 发表于 2013-8-28 19:12:29

如果真有这个限定四方交叉画法的中间肯定也要打上接触孔了来满足这个rule的要求

或者是mos的W值弄小点？

sunny_yangfeng · 发表于 2013-8-28 19:56:44

回复 3# coffeeing520

那岂不是太苛刻了，3.72um范围内就要有阱接触或衬底接触

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