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发表于 2015-10-16 08:13:04
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回复 1# 自学成菜
当工艺从0.11转到55nm时, 以LDO为例. 如果你采用IO device 作LDO, L基本上无法因为工艺的关系而缩小. 但,LDO 的passing element 的面积还是可以缩小一些的. 因为, contact to poly 的spacing 会随着工艺的进化而缩小的. 一般而言,passing element 面积会因此缩小20%左右,但要看工艺的水平。至于POLY电阻的W , 一般可以采用工艺的最小值乘以3. 如, 55nm, W可以用到0.165um. 但, POLY 电阻最好看design rule 上的规范。因为, POLY的组成是polygram, 当工艺到55nm 以下时,polygram 会发生颗粒大小不够均匀的风险。我个人建议,poly 电阻的W可以用0.2um 就可以。但,POLY底下要铺上diffusion. |
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