SMIC65以下的工艺，跟TSMC完全兼容吗？

qfn · 发表于 2015-10-23 21:14:00

本帖最后由 qfn 于 2015-10-26 12:01 编辑

大侠们有经验吗？两者可否直接转工艺tapeout而不重新设计仿真。
谢谢

qfn · 发表于 2015-10-26 13:08:19

顶顶顶

hughhuang · 发表于 2015-10-27 11:45:35

根据我的经验（使用过smic 65nm，GF 65nm，TSMC 65nm以下的工艺），对于相同尺寸（如均为65nm）的电路，仅仅变换工艺库之后的仿真结果差距还是挺大的，还需要根据仿真结果对电路进行调整，而且有一点需要格外注意，不同foundry的模型也不一样，比如我是做PLL的，电容电阻的模型完全不一样，特别是电感，差距太大了。但是没有做过相同电路仅仅foundry不同进行tapeout这样的事，所以对于流片后的结果是否一样并不清楚，不过仿真结果都不一样，流片结果一样的可能性不大。

neonato · 发表于 2015-10-27 13:14:10

换工艺肯定要调整很多东西，各家做出来的管子参数不一样，对于模拟部分仿真出来的结果差别还是很大的

bright_pan · 发表于 2015-10-27 15:08:52

如果你只是数字电路，频率不高，应该可以。

cpyiee · 发表于 2015-10-27 22:56:35

模擬不行。
設計重要的是建立設計方法，不是那些尺寸的數字。

hszgl · 发表于 2015-10-28 10:12:42

不了解这两家工艺，但是用屁股想想应该会差很远。

qfn · 发表于 2015-10-28 10:44:35

不了解这两家工艺，但是用屁股想想应该会差很远。
hszgl 发表于 2015-10-28 10:12

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用脑袋想差很远，用屁股想应该是差很近。S偷师T，这是江湖常识

hszgl · 发表于 2015-10-28 15:38:11

回复 8# qfn

然并卵。
只能说图形的形成可能差不多，所以DRC可能差不多。
然而电路不是把多晶硅刻成栅就可以了。工艺上还有很多问题，比如掺杂：源的组分，退火温度和时间，用的什么设备，扩散还是注入等等。工艺设备台与台之间参数都会有差别，同一台设备搬动移装也会有差别。

就算S抄了T家的recipes，他仍然做不出T家的性能。knowhow那些东西不是抄就能抄来的，不然T家如何屹立世界之巅？

现实就是做同样节点的电路S家比T家差不是一点半点。

qfn · 发表于 2015-10-30 11:03:37

根据我的经验（使用过smic 65nm，GF 65nm，TSMC 65nm以下的工艺），对于相同尺寸（如均为65nm）的电路，仅仅 ...
hughhuang 发表于 2015-10-27 11:45

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我听说有人直接T porting S，可以work。反而是port到S做了仿真修改后的效果没那么好。特来求证内幕人士

[求助] SMIC65以下的工艺，跟TSMC完全兼容吗？

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