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[原创] 在45nm结点后,PMOS和NMOS采用双栅,为什么?

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发表于 2012-12-3 20:43:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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弱弱的问一下,为什么NMOS的栅极功函数要小,PMOS的栅极功函数要大一些?
这是从调节阈值电压的角度考虑的,但不清楚这样做具体的好处是什么?
求教!!!
发表于 2012-12-7 14:48:29 | 显示全部楼层
弱问:什么是功函数
 楼主| 发表于 2012-12-11 21:22:56 | 显示全部楼层
功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱,功函数越大,电子越不容易离开金属。金属的功函数约为几个电子伏特。铯的功函最低,为1.93ev;铂的最高,为5.36ev。
发表于 2012-12-12 09:16:24 | 显示全部楼层
mis结构,Vth中有功函数项,想要把p和n的|Vth|都调整到0.7V吧,这样便于逻辑运算。
 楼主| 发表于 2012-12-12 20:44:36 | 显示全部楼层
谢谢。有点明白了,这样PMOS的ФMS是正值,可以使PMOS|Vth|调小。
发表于 2012-12-23 08:09:48 | 显示全部楼层
跟着听,学习一下
发表于 2013-1-7 11:32:03 | 显示全部楼层
继续啊,怎么不继续了?
发表于 2013-6-26 09:26:41 | 显示全部楼层
阈值电压公式上有,一般NMOS器件栅的功函数的靠近Ec4.05eV,PMOS的栅功函数靠近Ev5.17eV,不过现在的短沟器件使N和P功函数接近带中了
发表于 2013-6-26 10:53:28 | 显示全部楼层
调Vt 阿
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