在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3828|回复: 8

[原创] 在45nm结点后,PMOS和NMOS采用双栅,为什么?

[复制链接]
发表于 2012-12-3 20:43:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
弱弱的问一下,为什么NMOS的栅极功函数要小,PMOS的栅极功函数要大一些?
这是从调节阈值电压的角度考虑的,但不清楚这样做具体的好处是什么?
求教!!!
发表于 2012-12-7 14:48:29 | 显示全部楼层
弱问:什么是功函数
 楼主| 发表于 2012-12-11 21:22:56 | 显示全部楼层
功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱,功函数越大,电子越不容易离开金属。金属的功函数约为几个电子伏特。铯的功函最低,为1.93ev;铂的最高,为5.36ev。
发表于 2012-12-12 09:16:24 | 显示全部楼层
mis结构,Vth中有功函数项,想要把p和n的|Vth|都调整到0.7V吧,这样便于逻辑运算。
 楼主| 发表于 2012-12-12 20:44:36 | 显示全部楼层
谢谢。有点明白了,这样PMOS的ФMS是正值,可以使PMOS|Vth|调小。
发表于 2012-12-23 08:09:48 | 显示全部楼层
跟着听,学习一下
发表于 2013-1-7 11:32:03 | 显示全部楼层
继续啊,怎么不继续了?
发表于 2013-6-26 09:26:41 | 显示全部楼层
阈值电压公式上有,一般NMOS器件栅的功函数的靠近Ec4.05eV,PMOS的栅功函数靠近Ev5.17eV,不过现在的短沟器件使N和P功函数接近带中了
发表于 2013-6-26 10:53:28 | 显示全部楼层
调Vt 阿
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-24 10:57 , Processed in 0.020391 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表