在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: xhwubai

[求助] 半导体先进工艺用metal gate的问题

[复制链接]
发表于 2012-7-23 01:17:57 | 显示全部楼层
4楼讲的很详细,谢谢。。。想下点东西要发好多帖子啊。
发表于 2012-9-2 16:59:30 | 显示全部楼层
metal gate 只在28才开始出现的,metalgate的leakage更小
发表于 2012-12-9 16:39:46 | 显示全部楼层
10楼讲的我感觉也有道理
发表于 2012-12-12 14:18:51 | 显示全部楼层
mos的gate为什么一开始用metal,后来用poly,再后来又用metal了?

polysilicon gate 的一个好处是可以耐高温处理
发表于 2013-10-7 22:34:34 | 显示全部楼层
THANKS A LOT
发表于 2013-11-26 20:30:02 | 显示全部楼层
和功函数相关的一些东西。。。俺还要学习这方面的东西啊
发表于 2013-12-2 10:35:11 | 显示全部楼层
好东西,赞一个
发表于 2024-4-10 13:24:34 | 显示全部楼层


xhwubai 发表于 2012-5-4 01:53
回复 4# wolffshen


都不是半导体,怎么耗尽?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-24 10:19 , Processed in 0.018979 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表