问两个工艺方面的问题~

terry8876 · 发表于 2011-9-26 20:09:06

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1.怎样区分三种常用工艺（bipolar、CMOS、BiCMOS）？比如做反向提取时，怎样判断该芯片采用的什么工艺？（2个问题了）

2.双极工艺的基区注入、发射区注入与MOS工艺的P注入、N注入有什么区别？

jeremy2011 · 发表于 2011-10-5 09:33:48

最后一个问题，其实离子注入都是一样的，双极的基区注入和发射区注入的分别是自己区的离子，用来行成基区和发射区，而MOS里面第一个注入的是用来做阱，第二次注入的就是S或者D，形成的是有源区。

青春赌徒1 · 发表于 2011-10-10 11:47:10

最后一个问题，其实离子注入都是一样的

lodestar6666 · 发表于 2011-10-10 14:27:41

通过器件结构来区分
bipolar工艺一般没有多晶硅层，器件尺寸较大，器件间有明显的隔离槽
CMOS工艺的多晶硅栅特征明显
若有多晶硅又有NPN管结构则多为bicmos工艺。
另外做反向设计时通过芯片的datesheet中的电压电流等参数也可判断出大体工艺。

terry8876 · 发表于 2011-10-10 14:52:47

回复 4# lodestar6666

3Q~~~

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