外延硅锗源漏极产生对沟道压应力的机理，求解释。

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一般在文献里介绍只是说硅锗的晶格比硅的要大，所以会对沟道挤压，产生应力，但是原理是啥那？求解释。


晶格失配在接触面内引入的是本征应力，在源漏极下部与硅接触面由于晶格失配会产生对硅晶格的张应力，力方向为水平方向。而在与源极的侧面接触面同样会产生对硅的张应力，力方向为垂直方向。但是为啥会产生对沟道的压应力的，很疑惑，求解释。