[求助] implant layout match 影响

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nathan_ruan

发表于 2018-7-4 19:02:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一组match的mos通常layout的时候需要注意source drain 对称
有资料写到由于 N+/NLDD implant 时，和wafer会有 7度的偏角，会导致S/D的注入进入沟道不一致（大节点的工艺就是N+、小节点工艺就是NLDD；Pmos类似）

如果，在N+/P+ LDD注入的时候，如果wafer相对离子注入方向是在转动的，就不存在以上问题了

哪位负责注入工艺流程或者知道的朋友解答一下，谢谢！