implant layout match 影响

nathan_ruan · 发表于 2018-7-4 19:02:24

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一组match的mos通常layout的时候需要注意source drain 对称
有资料写到由于 N+/NLDD implant 时，和wafer会有 7度的偏角，会导致S/D的注入进入沟道不一致（大节点的工艺就是N+、小节点工艺就是NLDD；Pmos类似）

如果，在N+/P+ LDD注入的时候，如果wafer相对离子注入方向是在转动的，就不存在以上问题了

哪位负责注入工艺流程或者知道的朋友解答一下，谢谢！

sjzdzzgc · 发表于 2018-7-19 09:42:23

加dummuy管能解决吧工艺上不太懂

110006 · 发表于 2018-8-3 15:16:55

注入工艺的角度是很重要的一个参数，不能通过转动硅片来改变该角度。

gxd12 · 发表于 2018-8-7 17:48:04

回复 3# 110006

实际Fab的Implant就是分转2次或者转4次进行注入的

zhudidi · 发表于 2018-10-1 15:00:45

查一下怎样避免阴影效应就明白了

chaoqunchu · 发表于 2020-9-26 10:03:45

有没有工艺制程的详细资料？

XHED · 发表于 2020-10-28 23:12:30

通常减少mismatch的方向有两个：1）fab方面：对于有大角度偏转的IMP，比如pocket IMP, 一般通过rotate 4次的方式来降低shadow effect的影响；2）layout方面, 也可以通过common centriod的布局来减少mismatch。题主提到的 “wafer相对离子注入方向是在转动的，就不存在以上问题了”，我的理解是那样做就不存在角度偏转了,而偏转角度通常是为了让IMP打到特定的位置起到相应的作用.

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