目前工艺中遇到的电容种类小总结，如有不对，请多多指教和补充。

Mr_G

1）MIM (metal insulator metal)：是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着绝缘层离得比较远，所以C并不大。

2）MOM (metal oxide metal )：是finger电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加。

3）Poly-Well电容：工艺中有NPoly-NWell 电容和PPoly-PWell电容两种。

4）MOS电容：栅端作为阳极，源漏短接作为阴极，容值大小不准确。

5）PIP(poly insulator poly)：是多晶硅电容，上下两层多晶硅与之间的绝缘层构成电容。