在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3665|回复: 7

[求助] transition 和 capacitance violation 在哪个阶段fix最有效?

[复制链接]
发表于 2011-8-10 12:27:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
阶段 一,  placement 之后

阶段 二,  CTS 之后

阶段 三,  final routing 之后
发表于 2011-8-10 14:47:31 | 显示全部楼层
在placement中间就要开始考虑
 楼主| 发表于 2011-8-10 15:26:11 | 显示全部楼层



感谢陈老前辈指点。

嗯, 在placement之后发现有cap的违反了, 但是我发现大多在clk pin上的。 我随后做了一个实验, CTS后这些有 cap 违反的clk pin都被自动fix了。 当然, 有新的 cap 违反出来。 倘若在placement修这些cap的话,估计会有很多buf/inv 无端增加了delay, 您说呢?
发表于 2011-8-10 17:46:12 | 显示全部楼层
place的时候就要考虑了,往往加点约束,
比如
set_max_transition 0.3 [current_design]
set_max_capaitance 0.3 [current_design]
set_max_fanout 30 [current_design]

place的时候加些余量没什么不好, 除非插入太多的buffer, 影响利用率,

随着后面步骤的进行,反复是肯定的,最后修完就好了
工具肯定不能干净的,要最后自己eco insertbuffer、size cell来修的,
发表于 2011-8-10 19:11:28 | 显示全部楼层
主要是place的时候 尤其在65nm以后  buffer额外加入的延时一般都小于buffer改善的延时 所以还是很划算的  否则 pt里有的修了  而且65nm以后在pr工具中的设置要比实际库中的小一些才好
发表于 2013-10-28 10:50:38 | 显示全部楼层
留名,正在学习
发表于 2013-12-28 22:21:04 | 显示全部楼层
回复 3# chris_li


    就算去优化,place时候也应该不会去动你clock的吧?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 19:10 , Processed in 0.021342 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表