请加封装后电流增加的问题

hongmy · 发表于 2008-9-27 15:23:52

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各位朋友，请教一个问题，我现在有一块芯片，封装后进行final test，测试发现其他功能性能都正常，就是工作电流相比wafer test有一个较大的增加，估计增加了1倍左右（200uA到370uA左右），因为无法与CP一一对应，所以1倍来自大致感觉。
请教各位朋友，有没有遇到过类似的情况，或者请封装的高手，实效分析的高手们帮忙指点一下，看看是什么原因，该怎么解决？
以前也有网友遇到问过一次这个问题，但我没有看到后续结果，如果知道的朋友，也请帮忙解答。

hktkzsw · 发表于 2008-9-27 17:53:55

封装应力引起的？

hongmy · 发表于 2008-9-28 11:51:04

现在我也收集各方面的信息，在进行FA之前，基本也把矛头指向了封装的应力。但我想看看有没有朋友已经遇到过类似的问题，请教请教他们的分析方法和分析结果以及解决办法。

ba08 · 发表于 2008-9-28 13:55:50

bonding pad可能有micro crack，打线机打的

st1358 · 发表于 2008-10-24 15:18:22

我想您所說的電流增加應該是 leakage,leakage有分很多種,Quiescent Current/Shutdown Supply Current/....等多種,他們都是在不同狀況下漏電現象,我並不清楚您的電流增加是屬於哪一項,但大體來說,依製造面來說,c/p 及 f/t 程式是否匹配?也就是說 c/p spec.是否太寬?或f/t太緊?在封裝製程中是否有 demage ic的狀況?剛剛說過,漏電流有很多種,有些會因為封裝demage的狀況出現不一樣的情況,如gate被擊穿,他所呈現出來的現象是不一樣的,依據這原理,您可以慢慢找到電流增加的源頭,如果你說的跟我說的是同ㄧ件事的話!

hongmy · 发表于 2008-10-31 18:03:31

我们测试的电流是指工作时候的电源电流，其中应该有正常的电流分量，也有漏电电流的成分。现在的状况是：封装后测试电流相比wafer测试变大了（注意：功能完全ok，我们所需要的spec中现在只发现电流这一项发生了变化），有些已经超过我的spec而造成yield不满足我们的要求。电流增大的原因我们不知道，但我可以确定应该不是cp/ft的spec不同引起，我们也曾经怀疑了这一点，但将封装后的芯片使用同样的cp程序和设备，同样的电路进行了测试，问题同样存在。而且电流增加的芯片还有一个奇怪的现象：我们的芯片可以工作在3~5V下，那些出现电流问题的芯片，在3V下电流正常，随着电压增加，Idd也增加，给人感觉好像打开了一个什么东西，使得增加的部分电流随电压线性(非准确说法)增加，而且增加的量不能为我们接受。虽然正常的芯片随着电压增加电流也略有增加，但增加的量在我们接受和理解的范围之内。

请朋友们帮助分析。

quote]原帖由 st1358 于 2008-10-24 15:18 发表

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我想您所說的電流增加應該是 leakage,leakage有分很多種,Quiescent Current/Shutdown Supply Current/....等多種,他們都是在不同狀況下漏電現象,我並不清楚您的電流增加是屬於哪一項,但大體來說,依製造面來說,c/p 及 ... [/quote]