用低压工艺设计高压IC

xibeizi314159 · 发表于 2010-11-10 13:02:50

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各位大虾,我现在要用18V的双极性工艺去做一个供电电压达到36V的运放,请问应该如何搭建架构啊?

ludashen · 发表于 2010-11-10 13:07:40

you died

xibeizi314159 · 发表于 2010-11-13 16:57:30

Why? show me.

colindeng · 发表于 2010-11-27 23:35:56

想不通。

linjianbinff · 发表于 2010-12-16 22:14:10

有没有做出来呀，我也在想类似的问题呀

andy2000a · 发表于 2010-12-17 09:34:48

看你的用法 .. 如果 18v process junction breakdown 可到 24v ..
先調整 junction doping ..
再來拉開 space ..
萬一無法改 process 就拉開 space
try & error ..
但是為何不選高壓 process  ?  bipolar 0.5um 30v  or 40v process 應該很多家 fab都有
還有 bipolar model 不會太準相比於 mos  l49 ..
另個 bipolar 會很多人使用 merge 方式縮小 size 但
會沒做好 tank bias , channel stop會出問題  而且 lvs command 可能抓不到