innovus fanout过大怎样修呀，请大神们给点意见？感激不尽

xingyun666666 · 发表于 2018-9-4 13:45:21

回复 9# sgj821

请问，利用率是不是每个阶段都不应该增加的很多？比如plac阶段不应该比init 阶段的利用率多很多？

Lover_Momo · 发表于 2018-9-4 15:08:45

看一下Report目录下的.fanout那个文件，约束卡在多少呢？

zhy19870310 · 发表于 2018-9-4 15:55:10

回复 12# Lover_Momo

约束是33，clk是20，好像不管用似的

Lover_Momo · 发表于 2018-9-4 22:35:16

setOptMode -drcMargine 这个Option看一下。 ^_^

zhy19870310 · 发表于 2018-9-5 09:00:01

回复 14# Lover_Momo
谢谢各位的回答，目前fanout问题已经解决了，重新跑了一遍place，在place的时候设置-fixFanoutLoad true可以得到比较好的fanout结果。

zhy19870310 · 发表于 2018-9-6 08:32:42

回复 9# sgj821

请问28nm的一般place后的density保持在多少最好？

damonzhao · 发表于 2018-10-17 16:34:51

drv默认不修fanout，需要在optMode里单独设置fanout的

helanshan_icer · 发表于 2018-10-22 08:44:23

回复 16# zhy19870310

个人感觉限制28nm利用率的主要因素除了congestion外，主要是IRdrop和EM。当工作频率很高时，单位面积消耗的功耗（电流）很大，IRdrop和EM很难满足要求。利用率最好小于60%，留足够的空间放Decap。
反之，工作频率比较低的情况下，利用率可以高一些。

zhy19870310 · 发表于 2018-10-23 15:40:45

回复 18# helanshan_icer
好，谢谢

qq94043 · 发表于 2018-10-24 15:14:27

28nm place之后 std cell的利用率 50~60吧

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