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楼主: jon007

[求助] 0.35微米下哪個匹配的更好?

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发表于 2018-1-19 16:56:24 | 显示全部楼层
第二个,但是要改成ABBA质心对称,dummy外侧没必要做contact.
发表于 2018-1-22 10:11:09 | 显示全部楼层
关于匹配的一点考虑, 大家可以讨论/指正。
做过很多版图,真正MOS MATCH很关键的只做过一个高精度运放,就是版图上很大的两个MOS管匹配。 通常我们见到的差分/运放/电流镜 这些match, 其实选择不同的匹配方式差异不是很大,而且还要分析具体的工艺/版图情况的。
首先这两种情况都需要加DUMMY才能改善匹配。  
如果工艺是场氧隔离的,通常第二种匹配方式好一些ABBA的布局也可以。 如果是STI隔离, 那么选第一种加ABAB的布局会好一些, 后仿能看到差异。
版图上匹配的器件附近如果没有明显的应力源/热源,那么引起mismatch的通常是工艺误差,是非线性的,所以选择ABBA的布局。 如果是靠近应力源/热源,那么可以垂直源放置匹配器件, 同时选择ABAB布局。
另外有的电路工程师还是喜欢质心对称那种布局,现在采用的比较少,尤其是对于尺寸不大的匹配器件, 质心对称的布局会导致布线很复杂。
发表于 2018-2-26 08:33:02 | 显示全部楼层
回复 22# 110006

亲,就场氧和sti型的,怎么选择你们已经验证过了么?另外,有没有理论依据可以讲一下呢
发表于 2018-2-27 10:35:03 | 显示全部楼层
回复 23# vissa
对的,都有流片验证。 对于场氧隔离的工艺,高精度AMP出来后专门测过匹配的精度。  
对于STI隔离,因为器件model已经带了SA/SB的参数,所以后仿能看到ABAB和ABBA的差异,因为不是内部FAB, 而且匹配器件应用的部分也不涉及关键SPEC, 所以流片之后的匹配精度没有报告,只能说匹配的精度可以接受,产品没有任何问题。
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