芯片级ESD防护设计答疑

enian · 发表于 2017-11-27 22:06:19

回复 10# jiangbing1975

分析的有道理，因为R短接了就没事了。不过他的电阻才16k，电容貌似也不是特别大，不知道还有没有其他原因

jiangbing1975 · 发表于 2018-1-5 14:31:16

回复 11# enian
泄放ESD能量的原理有两种，一种是使用Gate-grounded NMOS的寄生BJT开启泄放ESD，寄生BJT体积大，散热性好。这种结构的NMOS不用做的太大，但要满足ESD rule。另一种就是类似你们的做法，利用的是NM4器件的正常开启泄放ESD能量，电流走反型层沟道，这种结构的NMOS不需要满足ESD rule，但是total width要足够大，达到能通过几个A的电流能力，如果total width不够大，那么热量聚集到狭窄的反型层，很容易把器件烧毁。你把电阻short掉后，该电路和Gate-grounded NMOS没有差异，该电路的工作原理由正常开启的NM4泄放ESD能量变为了由NM4寄生的BJT开启来泄放ESD能量。电路虽然修改了很少，但电路的工作原理却发生了很大的变化。因此效果就完全不一样了。

jiangbing1975 · 发表于 2018-1-5 14:40:18

回复 11# enian

由于电路变成了Gate-grounded NMOS，此时“220V市电不断开关时”造成芯片电源电压过冲还不足以造成寄生的BJT开启，因此也就不存在NM4会烧毁。而电路未修改的时候，“220V市电不断开关时”造成芯片电源电压过冲在在RC的作用下会造成NM4 NMOS开启，当过冲够高，流过NM4的电流过大的时候，NM4难免不会被烧毁。
如果有人问题比较紧急可KOUKOU我：5451814。