ocv 和bc_wc的区别

michael.z.wang · 发表于 2016-8-9 11:38:29

回复 3# yueluofenghen

很精准的回答，谢谢

liyong_ic · 发表于 2017-6-20 15:03:45

回复 2# abao123

好像不对呢

liyong_ic · 发表于 2017-6-20 15:05:10

回复 3# yueluofenghen

这样表述不对吧

yueluofenghen · 发表于 2017-6-22 10:06:56

回复 53# liyong_ic

是不对，当时的理解不准确

qchdmb · 发表于 2017-6-23 11:22:05

学习了！

Richard-_-Xu · 发表于 2018-6-19 20:57:20

学习了

latte_ · 发表于 2018-6-19 23:01:26

回复 3# yueluofenghen
回答的很准确，当芯片size比较大的时候，相应的launch path 和 capture path 距离较远，所处环境有差别，所以会用OCV来大致的矫正这个差。

Y_HIT · 发表于 2018-6-23 13:08:01

130nm以上，一般采用BC_WC，即用最慢的PVT检查setup，最快的PVT检查hold。
100nm以下，芯片不同区域管子性能有差别，温度不一致，存在电压降，无法用单一的PVT计算了，考虑到片上误差（OCV），可以采用timing derate建模，以及考虑CPPR

prada520 · 发表于 2018-8-4 13:55:39

謝謝分享
最近在做OCV

firefly-317 · 发表于 2018-8-7 15:16:54

对的
60nm以下又发展了AOCV
28nm以下出现了POCV

不管之前的BC_WC OCV还是现在的AOCV POCV都是随着新工艺节点出现的问题设计方法学的改进

130nm以上，一般采用BC_WC，即用最慢的PVT检查setup，最快的PVT检查hold。
100nm以下，芯片不同区域管子性 ...
Y_HIT 发表于 2018-6-23 13:08

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