MOS管上的gate可以打孔么？

叶落 · 发表于 2017-5-25 21:22:24

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比如一个大一点的MOS管，我的gate连接metal的contact可以打在管子内部么？就是在active内部，会不会有沟道产生呢？还是只能打在gate边缘。

zoujunlin · 发表于 2017-5-25 22:45:14

沟道上打孔 DRC 会报错吧

maomao198477 · 发表于 2017-5-25 22:45:37

在里面打不就把POLY 跟ACTIVE 接起来了？

叶落 · 发表于 2017-5-25 23:14:28

回复 2# zoujunlin

就是在active上的大块gate上打，但我也是觉得好像是会形成沟道哈

叶落 · 发表于 2017-5-25 23:17:32

回复 3# maomao198477
好像是的，active gate contact metal重合在一起确实会把active和gate连接在一起

kevin_l · 发表于 2017-5-26 08:58:12

首先解释一下一个误区，一般的工艺TSMC，SMIC，CSMC等等是不允许在active区域和poly交叠区域打polyCT孔的，即沟道形成区域打孔，因为这样会把active和栅极短接，造成短路，但是在一些特殊的工艺线中会存在poly CT打到active区域，他们中间会有一层阻挡层，为了节省面积和节约成本，他们会加一层阻挡，让二者不产生连接性，我现在用的就是这样的

lc137615061 · 发表于 2017-5-26 15:32:10

你这个想法很大胆哦。

kopzinc · 发表于 2017-5-26 16:04:12

你试试ct打在中间位置，DRC和LVS的时候有惊喜~

kevin_l · 发表于 2017-5-26 16:04:51

肯定短路

kevin_l · 发表于 2017-5-26 16:11:12

先确定你的工艺，一些常用的工艺如CSMC，SMIC，TSMC等这样打孔肯定会出现POLY和ACTIVE短路的情况，并且DRC LVS肯定报错，但是在一些特殊工艺线还真就存在这种POLY孔放置于active内部的情况，并且不会造成短路，DRC LVS也不出现问题，是因为这种工艺线在POLY与active中间有做了一层隔离层（阻挡层），为了减少面积节约成本，还真的可以这样做，本人现在用的工艺就支持这种情况！

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