谈谈mos voltage reference

jluhzw · 发表于 2011-9-29 20:38:45

有公司用过不是BJT的的Reference voltage，但本身要求并不是很高
利用process一次次try得到的结果吧，

semico_ljj · 发表于 2011-9-30 14:23:23

nice...

iyahsue · 发表于 2012-5-11 13:43:59

gooooooooooooooooooood

carloslos · 发表于 2012-5-11 15:25:49

孤陋寡闻了

carloslos · 发表于 2012-5-11 15:26:50

孤陋寡闻了

carloslos · 发表于 2012-5-11 15:32:42

孤陋寡闻了

carloslos · 发表于 2012-5-11 15:33:42

孤陋寡闻了

辽大队长 · 发表于 2016-6-16 08:51:29

无意中看到这个帖子，来说两句，其实用MOS管来做基准电压的电路还是挺常用的，至少在对温漂一致性要求不高，要求超低功耗的电路里是必不可少的，我做过1u电流的LDO，里面用的就是diode连接的增强型NMOS与GS短接的耗尽管串联的基准电路，通过控制两个管子的W/L来调整温漂，其实效果还是不错的~~

GJYuchuan · 发表于 2016-6-16 12:49:20

回复 28# 辽大队长

长见识了，谢谢。

freecore · 发表于 2016-6-17 13:26:22

刚好看到了就说一下我知道的，MOS做的电压基准有一些优点：功耗可以做到很低，电源电压也可以很低，不需要额外的bjt器件，所有的MOS工艺都可以做。但是其精度常常不如bandgap，所以一般用在精度要求不那么高的场合。其实也很好理解，bandgap都发展多少年了，各种各样的电路结构都有人尝试过。还看到过有人用低阈值管串接一下，然后调调工艺参数就得到一个MOS电压基准（但也是需要特殊器件了）。ISCDG2012好像有片文章的MOS电压基准功耗做到100nA。

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