关于拉扎维带隙那一章的举例

ybjdx007 · 发表于 2015-10-16 11:20:44

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我想请教下，如何分析这个电路中的这个偏置呢？

szyacj · 发表于 2015-10-16 14:55:13

self-bias

hehuachangkai · 发表于 2015-10-16 15:36:28

加上启动电路就OK了。

fightshan · 发表于 2015-10-16 17:19:37

同意二楼······
PS 怀疑这种带隙现在根本用不了 0.18以下电源电压顶多就2V headroom大概会被上面那串“低压偏置”吃的差不多了

hehuachangkai · 发表于 2015-10-16 19:46:51

回复 4# fightshan

还有用到的，我们项目中用的就是这种架构。对精度要求不是那么严格时，该架构结构简单，不需要OP，很省面积（2.3-3.6V电源），或者说至少没有发现什么坏处。

hehuachangkai · 发表于 2015-10-16 19:50:31

图中采用的二极管连接方式，正是为了克服低电压应用下headroom较小的缺点（.11工艺）。

fightshan · 发表于 2015-10-16 22:33:15

图中采用的二极管连接方式，正是为了克服低电压应用下headroom较小的缺点（.11工艺）。
hehuachangkai 发表于 2015-10-16 19:50

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你确定？二极管接法的话源漏压差至少要一个阈值，这能省headroom?

hehuachangkai · 发表于 2015-10-17 15:35:24

回复 7# fightshan

它有跨过一个管子，所以vds被压低了啊

fightshan · 发表于 2015-10-17 19:40:04

回复 fightshan

它有跨过一个管子，所以vds被压低了啊
hehuachangkai 发表于 2015-10-17 15:35

登录/注册后可看大图

这叫低压cascode 不叫diode-connected

semico_ljj · 发表于 2015-10-17 21:41:19

回复 5# hehuachangkai

这个电压不低了！说一说0.18um以下不实用

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