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查看: 2459|回复: 9

[求助] 关于拉扎维带隙那一章的举例

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发表于 2015-10-16 11:20:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1.png 我想请教下,如何分析这个电路中的这个偏置呢?
发表于 2015-10-16 14:55:13 | 显示全部楼层
self-bias
发表于 2015-10-16 15:36:28 | 显示全部楼层
加上启动电路就OK了。
发表于 2015-10-16 17:19:37 | 显示全部楼层
同意二楼······
PS  怀疑这种带隙现在根本用不了  0.18以下电源电压顶多就2V  headroom大概会被上面那串“低压偏置”吃的差不多了
发表于 2015-10-16 19:46:51 | 显示全部楼层
回复 4# fightshan


   还有用到的,我们项目中用的就是这种架构。对精度要求不是那么严格时,该架构结构简单,不需要OP,很省面积(2.3-3.6V电源),或者说至少没有发现什么坏处。
发表于 2015-10-16 19:50:31 | 显示全部楼层
图中采用的二极管连接方式,正是为了克服低电压应用下headroom较小的缺点(.11工艺)。
发表于 2015-10-16 22:33:15 | 显示全部楼层




   你确定?二极管接法的话源漏压差至少要一个阈值,这能省headroom?
发表于 2015-10-17 15:35:24 | 显示全部楼层
回复 7# fightshan


   它有跨过一个管子,所以vds被压低了啊
发表于 2015-10-17 19:40:04 | 显示全部楼层


回复  fightshan


   它有跨过一个管子,所以vds被压低了啊
hehuachangkai 发表于 2015-10-17 15:35




   这叫低压cascode 不叫diode-connected
发表于 2015-10-17 21:41:19 | 显示全部楼层
回复 5# hehuachangkai

这个电压不低了!说一说0.18um以下不实用
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